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氧化锌压敏电阻的缺陷：

ZnO压敏电阻器中的缺陷有正一价和正二价的Zni和Vo，负一价和负二价的

VZn ，正一价的DZn。VZn主要在晶界处，VZn为受主态，使晶粒表面形成一电子耗尽层而产生势垒，约0.7eV。Zni容易迁移为亚稳态，是老化产生的根源所在。DZn可降低晶粒体的电阻，提高通流容量。Vo在氧不足的ZnO-x中量很少，主要存在于晶界中。高温时原子运动加剧，在晶界中形成大量的VZn和Vo，但Vo在冷却过程中容易从空气中吸收氧而消失。

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众所周知，适宜的原材料配方是获得要求性能的产品的关键，它直接关系到工艺流程的拟订、工艺装备的选用以及产品性能的提高等。实验所用原料均为分析纯。将ZnO、Bi2O3、TiO2、Co2O3、MnO2、SnO2、Sb2O3等原料按一定的ZnO压敏陶瓷配方比例称量。称取的粉料经混合，加入粘结剂（5020胶水）造粒，用压片机在8MPa的压力下压制成圆片坯体，在箱式电阻炉中分别于1160,1180，1200

℃烧结成瓷，保温2h 后随炉冷却，表面处理后涂银电极，之后进行各项性能测试。

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